图片仅供参考,产品以实物为准
| 标准包装 | 800 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 60V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 67A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 11.6 mOhm @ 67A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 3V @ 250µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 31nC @ 5V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2900pF @ 25V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| 供应商器件封装 | TO-263AB |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
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